| IXFH22N65X2 - IXYS - MOSFET N-CH 650V 22A TO247 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 5.5V @ 1.5mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2310 pF @ 25 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 390W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Paketleme | TO-247 (IXTH) |
| Paket / Kılıf | TO-247-3 |