| IRF610PBF - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB | |
| Paketleme | Tube |
| Paket / Kılıf | TO-220-3 |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Tipi | N-Channel |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 3.3A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2A, 10V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 36W (Tc) |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
| Tedarikçi Paketleme | TO-220AB |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 200 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 140 pF @ 25 V |