IPD50R500CEAUMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 500 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 7.6A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 13V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 2.3A, 13V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 18.7 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 433 pF @ 100 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 57W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PG-TO252-3 |
Paket / Kılıf | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |