| FDS6575 - ONSEMI - MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC |
| FET Tipi | P-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 2.5V, 4.5V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 10A, 4.5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 74 nC @ 4.5 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±8V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 4951 pF @ 10 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 2.5W (Ta) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | 8-SOIC |
| Paket / Kılıf | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |