| SQJ992EP-T1_GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8 | |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Konfigürasyon | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Özelliği | - |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 15A |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 56.2mOhm @ 3.7A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 446pF @ 30V |
| Güç - Maks. | 34W |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | Automotive |
| Kalifikasyon | AEC-Q101 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8 Dual |