SIA921EDJ-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8 | |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Konfigürasyon | 2 P-Channel (Dual) |
FET Özelliği | Logic Level Gate |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 4.5A |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | - |
Güç - Maks. | 7.8W |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Paket / Kılıf | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SC-70-6 Dual |