| 2N6661 - MICROCHIP TECHNOLOGY - MOSFET N-CH 90V 350MA TO39 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 90 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 350mA (Tj) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2V @ 1mA |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 50 pF @ 24 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 6.25W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Paketleme | TO-39 |
| Paket / Kılıf | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |