| IPD122N10N3GATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet Tipi | N-Channel |
| Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 59A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 12.2mOhm @ 46A, 10V |
| Fet Özelliği | - |
| Maksimum Güç Tüketimi | 94W (Tc) |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.5V @ 46µA |
| Tedarikçi Paketleme | PG-TO252-3 |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2500 pF @ 50 V |