| IPB80R290C3AATMA2 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 800 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.9V @ 1mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2300 pF @ 100 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 227W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | Automotive |
| Kalifikasyon | AEC-Q101 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | PG-TO263-3-2 |
| Paket / Kılıf | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |