| IPB011N04NGATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Tipi | N-Channel |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 100A, 10V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 250W (Tc) |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 200µA |
| Tedarikçi Paketleme | PG-TO263-7-3 |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 40 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 250 nC @ 10 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 20000 pF @ 20 V |