| IMT40R011M2HXTMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SIC-MOS | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | 8-PowerSFN |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FET Tipi | N-Channel |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 13.4A (Ta), 144A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 14.4mOhm @ 37.1A, 18V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 3.8W (Ta), 429W (Tc) |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 5.6V @ 13.3mA |
| Tedarikçi Paketleme | PG-HSOF-8-2 |
| Derece | - |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 15V, 18V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | +23V, -7V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 400 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 85 nC @ 18 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 3770 pF @ 200 V |
| Kalifikasyon | - |