| IGLT65R110D2ATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - IGLT65R110D2ATMA1 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | - |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.6V @ 1.3mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 2.4 nC @ 3 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | -10V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 170 pF @ 400 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 55W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | PG-HDSOP-16-8 |
| Paket / Kılıf | 16-PowerSOP Module |