| EPC2215 - EPC - GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | Die |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Çalışma Sıcaklığı | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Teknoloji | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Tipi | N-Channel |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 32A (Ta) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 20A, 5V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | - |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 6mA |
| Tedarikçi Paketleme | Die |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 5V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | +6V, -4V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 200 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 17.7 nC @ 5 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1790 pF @ 100 V |