| TP44100SG - TAGORE TECHNOLOGY - GAN FET HEMT 650V .118OHM 22QFN | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | 22-PowerVFQFN |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Teknoloji | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Tipi | N-Channel |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 118mOhm @ 500mA, 6V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | - |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 11mA |
| Tedarikçi Paketleme | 22-QFN (5x7) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 0V, 6V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 3 nC @ 6 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 110 pF @ 400 V |