| G3R450MT17D - GENESIC SEMICONDUCTOR - SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3 | |
| Paketleme | Tube |
| Paket / Kılıf | TO-247-3 |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FET Tipi | N-Channel |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 585mOhm @ 4A, 15V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 88W (Tc) |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.7V @ 2mA |
| Tedarikçi Paketleme | TO-247-3 |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 15V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±15V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1700 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 18 nC @ 15 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 454 pF @ 1000 V |