| FQT5P10TF - ONSEMI - MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4 | |
| FET Tipi | P-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 2W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | SOT-223-4 |
| Paket / Kılıf | TO-261-4, TO-261AA |