| FDN86265P - ONSEMI - MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3 | |
| FET Tipi | P-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 150 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 800mA (Ta) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 800mA, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 4.1 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±25V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 210 pF @ 75 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 1.5W (Ta) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | SOT-23-3 |
| Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |