| DMN2005UFG-7 - DIODES INCORPORATED - MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 18.1A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 2.5V, 4.5V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 164 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±12V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 6495 pF @ 10 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 1.05W (Ta) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | POWERDI3333-8 |
| Paket / Kılıf | 8-PowerVDFN |