| AIMZHN120R080M1TXKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SIC_DISCRETE | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1200 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 18V, 20V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A, 20V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 5.1V @ 3.3mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 24 nC @ 20 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | +23V, -5V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 671 pF @ 800 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 169W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | Automotive |
| Kalifikasyon | AEC-Q101 |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Paketleme | PG-TO247-4-14 |
| Paket / Kılıf | TO-247-4 |