STN3P6F6 - STMICROELECTRONICS - MOSFET P-CH 60V SOT223 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | TO-261-4, TO-261AA |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | P-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 3A (Tj) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 1.5A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 2.6W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | SOT-223 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 6.4 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 340 pF @ 48 V |