IPD50N04S410ATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 50A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 41W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 15µA |
Tedarikçi Paketleme | PG-TO252-3-313 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 40 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 18.2 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1430 pF @ 25 V |