FDS8949 - ONSEMI - MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Konfigürasyon | 2 N-Channel (Dual) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Güç - Maks. | 2W |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 40V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 6A |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 955pF @ 20V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 6A, 10V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 11nC @ 5V |
FET Özelliği | Logic Level Gate |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | 8-SOIC |