| STQ1HNK60R-AP - STMICROELECTRONICS - MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3 | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Tipi | N-Channel |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 400mA (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 8.5Ohm @ 500mA, 10V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 3W (Tc) |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.7V @ 250µA |
| Tedarikçi Paketleme | TO-92-3 |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 600 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 156 pF @ 25 V |