| RQ7E110AJTCR - ROHM SEMICONDUCTOR - MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 4.5A, 11V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.5V @ 10mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 22 nC @ 4.5 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±12V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2410 pF @ 15 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 1.5W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | TSMT8 |
| Paket / Kılıf | 8-SMD, Flat Leads |