| SI7115DN-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8 | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | PowerPAK® 1212-8 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Çalışma sıcaklığı | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet Tipi | P-Channel |
| Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 8.9A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 295mOhm @ 4A, 10V |
| Fet Özelliği | - |
| Maksimum Güç Tüketimi | 52W (Tc) |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
| Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® 1212-8 |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 150 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1190 pF @ 50 V |