UF3C065080B7S - ONSEMI - SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 20A, 12V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 6V @ 10mA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 23 nC @ 12 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±25V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 760 pF @ 100 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 136.4W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | D2PAK-7 |
Paket / Kılıf | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |