SISS5708DN-T1-BE3 - VISHAY SILICONIX - N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 150 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 9.3A (Ta), 33.8A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 7.5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 10A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 975 pF @ 75 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® 1212-8S |
Paket / Kılıf | PowerPAK® 1212-8S |