G3R350MT12D - GENESIC SEMICONDUCTOR - SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3 | |
Paketleme | Tube |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1200V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 15V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 4A, 15V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.69V @ 2mA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 12nC @ 15V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±15V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 334pF @ 800V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 74W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | TO-247-3 |
Paket / Kılıf | TO-247-3 |