SUM90330E-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 200 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 35.1A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 7.5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 37.5mOhm @ 12.2A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1172 pF @ 100 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 125W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | TO-263 (D2PAK) |
Paket / Kılıf | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |