PMH950UPEH - NEXPERIA USA INC. - MOSFET P-CH 20V 530MA DFN0606-3 | |
FET Tipi | P-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 530mA (Ta) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 1.2V, 4.5V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 950mV @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 0.5 nC @ 4 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±8V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 36 pF @ 10 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 370mW (Ta), 2.2W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | DFN0606-3 |
Paket / Kılıf | 3-XFDFN |