CGD65A055SH2 - CAMBRIDGE GAN DEVICES - 650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 27A |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 12V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 2.2A, 12V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4.2V @ 10mA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 4 nC @ 12 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | +20V, -1V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | - |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | 16-DFN (8x8) |
Paket / Kılıf | 16-PowerVDFN |