IPD80R2K4P7ATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 800V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 2.4Ohm @ 800mA, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 150pF @ 500V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 22W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PG-TO252-3 |
Paket / Kılıf | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |